用于调控二维光电探测器中陷阱态的缺陷工程
材料科学
2019-02-19 v1 应用物理
摘要
缺陷诱导的陷阱态在决定半导体光电探测器性能方面至关重要。与浅陷阱相比，载流子从深陷阱脱陷的时间可能延长数个数量级，导致器件额外的衰减/响应时间。在此，我们展示通过分子修饰的缺陷工程可有效调控二维 ReS2 中的陷阱态。大幅延长响应时间的深陷阱可被原卟啉（H2PP）分子大部分填充。同时，载流子复合与浅陷阱将转而主导决定器件的衰减时间，其可比制备态器件快数个数量级。此外，由于 ReS2 与分子间电荷转移显著降低了暗电流，器件的比探测率得到提升（高达约 1.89 x 10^13 Jones）。因此，陷阱态的缺陷工程为实现兼具高响应度与快响应的光电探测器提供了解决方案。
引用
@article{arxiv.1808.06093,
title = {Defect Engineering for Modulating the Trap States in Two-dimensional Photoconductor},
author = {Jie Jiang and Chongyi Ling and Tao Xu and Wenhui Wang and Xianghong Niu and Amina Zafar and Zhenzhong Yan and Xiaomu Wang and Yumeng You and Litao Sun and Junpeng Lu and Jinlan Wang and Zhenhua Ni},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.06093},
year = {2019}
}
备注
34 pages, 17 figures, to appear in Advanced Materials