半导体中电子自旋的相干人口捕获
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v2 量子物理
摘要
在强磁场下，对高纯度 n型 GaAs 中的 lambda 系统进行了研究，该系统由两两个拉伸受限电子态和束缚 exciton 最低拉伸态组成。当该系统的两光子微调为零时，我们观察到激发态光致发射中出现显著的谷线，表明形成了相干人口捕获态。我们的数据与稳态三水平密度矩阵模型相符。观察到半导体中的相干人口捕获现象表明，这类类似材料可用于各种 EIT 类型实验。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504012,
title = {Coherent Population Trapping of Electron Spins in a Semiconductor},
author = {Kai-Mei C. Fu and Charles Santori and Colin Stanley and M. C. Holland and Yoshihisa Yamamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504012},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures replaced 6/25/2007 with PRL version