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半结晶聚合物中带隙态的结构起源及其对电荷输运的影响

材料科学 2015-05-20 v2 软凝聚态物质

摘要

我们利用先进的X射线线形分析,量化了一种高性能半结晶半导体聚合物微晶中π{\pi}-π{\pi}堆积方向的无序程度。通过第一性原理计算,我们获得了具有递增次晶无序度的π{\pi}-π{\pi}堆积聚合物链系统的态密度。我们发现,对于PBTTT的取向薄膜,次晶无序度为7.3%。计算表明,这种类型的无序会诱导出宽度约为100 meV的陷阱态尾。这一发现与先前的器件建模结果一致,并为迁移率边模型提供了物理依据。

关键词

引用

@article{arxiv.1012.2240,
  title  = {Structural origin of gap states in semicrystalline polymers and the implications for charge transport},
  author = {Jonathan Rivnay and Rodrigo Noriega and John E. Northrup and R. Joseph Kline and Michael F. Toney and Alberto Salleo},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1012.2240},
  year   = {2015}
}

备注

Text and figures are unchanged in the new version of the file. The only modification is the addition of a funding source to the acknowledgments