CaMn$_{2}$Bi$_{2}$ 在施加压力下的疑似杂化能隙

我们报道了 CaMn$_{2}$Bi$_{2}$ 单晶在施加压力下的电输运测量。在常压和高温下，CaMn$_{2}$Bi$_{2}$ 表现为单带半金属，在 $T_{N}=150$~K 处具有 N\'{e}el 序。在低温下，多带行为出现，并伴随简并半导体典型的激活行为。激活能隙估计为 $\Delta \sim 20$~K。施加压力不仅以 0.40(2)~K/kbar 的速率促进反铁磁序，还在 $20$~kbar 下将激活能隙增强约 $70$~%。这种能隙增强是关联窄能隙半导体（如 FeSi 和 Ce$_{3}$Bi$_{4}$Pt$_{3}$）的典型特征，并将 CaMn$_{2}$Bi$_{2}$ 定位为基于 Mn 的杂化能隙半导体候选者。基于密度泛函理论的 \textit{ab initio} 计算被证明不足以描述 CaMn$_{2}$Bi$_{2}$ 的基态。