n-PbTe结构制剂中量子球态传输
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
研究了 PbTe:Bi 次微米约束的电导，测量温度范围为 4.2K 至 50mK，磁场强度最高达 8T。通过电子束光刻和化学蚀刻制造了高迁移率薄膜（在 BaF_2 上生长）。在电流垂直于磁场的 moderately strong 场 B>1T 时，电导随侧栅压强度的变化表现为以 1e^2/h 为单位的精确量化。在无场情况下，观察到温度无关的阶梯结构，平均阶梯高度约为 1e^2/h。建议这种量化可能反映了电子间交换相互作用对 Kramers 退极性的解缠效应，尽管 PbTe bulk 的介电常数很大。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9906178,
title = {Quantum ballistic transport in constrictions of n-PbTe},
author = {G. Grabecki and J. Wrobel and T. Dietl and K. Byczuk and E. Papis and E. Kaminska and A. Piotrowska and G. Springholz and M. Pinczolits and G. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9906178},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 4 Postscript figures