PbTe 量子阱约束区中的无序抑制与精确电导量子化
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
我们在 PbTe 亚微米约束区中测量了电导量子化，这些约束区被图形化为沉积在 PbEuTe 势垒之间的 12 nm 窄量子阱。由于势垒施加的量子限制远强于横向限制，其一维电子能级结构与通常在 AlGaAs/GaAs 异质结构约束区中遇到的非常相似。然而，与迄今为止研究的任何其他系统不同，我们观察到以 为单位的精确电导量子化，{\it 尽管在约束区附近存在大量带电缺陷}。我们证明，这种非凡的结果是 PbTe 顺电性质的后果，即巨大的介电常数导致 Coulomb 势的长程尾部被抑制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0506756,
title = {Disorder suppression and precise conductance quantization in constrictions of PbTe quantum wells},
author = {G. Grabecki and J. Wrobel and T. Dietl and E. Janik and M. Aleszkiewicz and E. Papis and E. Kaminska and A. Piotrowska and G. Springholz and G. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506756},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 6 figures, submitted to Phys. Rev. B