I型量子阱结构中载流子的量子限制研究

量子限制被认为是低维结构的内在属性。传统上认为，由于离散能级，阱内捕获的载流子无法逃逸。然而，我们之前的研究揭示了低维结构中有效的载流子逃逸，这与传统理解相矛盾。在本研究中，我们重新审视量子阱的能带结构，将其视为体材料色散和由整个布里渊区量子限制产生的量子化能量色散的叠加。通过考虑所有波矢，我们在每个量子化能级上获得了载流子能量的某种分布，从而产生了能量子带。这些结果使得载流子能够在电场影响下从阱中逃逸。此外，我们全面总结了量子阱结构中与载流子输运相关的各种能带情景。这种新的解释对于加深我们对低维能带的理解、发现新的物理现象以及设计具有更优性能的新型器件具有重要意义。