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Weyl半金属量子阱结构中的电子性质

介观与纳米尺度物理 2016-09-30 v1

摘要

我们研究了三维Weyl电子在一维外部矩形静电势周围的受限态与输运。具有有限横向波矢的受限态存在于能量高于半阱深或低于半势垒高的区域。矩形势对垂直入射电子表现为完全透明,但对非垂直入射电子则不然。隧穿透射系数对入射角敏感,并在电子能量与受限谱重合时出现共振峰。此外,对于导带(价带)电子穿过势垒(势阱),透射谱存在一个宽度随入射角增大的带隙。有趣的是,当费米能量与势的顶部和底部能量对齐时,电子在势上的线性零温电导可趋近于零,此时只有垂直于势界面的电子束能够通过。所考虑的结构可用于准直Weyl电子束。

关键词

引用

@article{arxiv.1609.09217,
  title  = {Electronic properties in a quantum well structure of Weyl semimetal},
  author = {Wen-Long You and Xue-Feng Wang and Andrzej M. Oleś and Jiao-Jiao Zhou},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1609.09217},
  year   = {2016}
}

备注

5 pages, 3 figures