CaMn$_{2}$Bi$_{2}$中电子关联与杂化之间的竞争
强关联电子
2021-02-18 v2 材料科学
摘要
我们研究了杂化隙半导体候选材料 CaMnBi 低能电子结构中电子关联与杂化之间的相互作用。利用 DFT+ 方法，我们发现反铁磁尼尔序和能带隙均与相应实验值吻合良好。我们进一步发现，在静水压下，能带隙主要由磁关联主导，而杂化对较高能带能量处的态影响更大。该结果表明，CaMnBi 与高温超导铜氧化物和铁磷化物之间的关系比与重费米子材料的更密切。最后，我们还发现所研究的反铁磁 CaMnBi 在所有压力下均为拓扑平庸。
引用
@article{arxiv.1911.10122,
title = {Competition between electronic correlations and hybridization in CaMn$_{2}$Bi$_{2}$},
author = {Christopher Lane and M. M. Piva and P. F. S. Rosa and Jian-Xin Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.10122},
year = {2021}
}
备注
7 pages, 5 figures