外压对窄带隙半导体 Ce$_{3}$Cd$_{2}$As$_{6}$ 的影响

本文报道了近期发现的 Ce$_{3}$Cd$_{2}$As$_{6}$ 的磁性与电子性质。在常压下，Ce$_{3}$Cd$_{2}$As$_{6}$ 呈现活化能隙为 74(1)~meV 的半导体行为。在 136~K 时，电阻率的突增与比热中的峰符合电荷密度波转变。在低温下，Ce$^{3+}$ 离子的反铁磁序出现在 $T_{\rm N} = 4.0$~K 以下，其磁硬轴沿 $c$ 轴，基态为 $\Gamma_{6} = |\pm1/2\rangle$ 双重态。外加压力强烈抑制电荷密度波序，在 0.8(1)~GPa 以上被完全抑制，并诱导出金属性基态。在 2~K 以上未探测到超导迹象。相反，反铁磁态受压力促进，在 3.8(1)~GPa 时转变温度达到 5.3~K。值得注意的是，表征反铁磁序的电阻反常随压力升高而变化，表明 Ce$_{3}$Cd$_{2}$As$_{6}$ 在压力下可能存在两种不同的磁相。这种有序态的变化似乎与 $T_{\rm CDW}$ 和 $T_{\rm N}$ 线的交叉有关。