HfO2基叠层中异常易失/非易失阻变的可行物理机制
材料科学
2024-01-18 v3
摘要
由硅兼容简单氧化物制成的忆阻器件在未来自适应电子器件和非数字计算应用中的存储与逻辑器件方面备受关注。在原子层沉积铪基叠层中观察到的一系列极具吸引力的特性，引发了我们对其技术实现适用性的研究兴趣。本文中，我们报告了在所提潜在机制框架内复现该观测行为的尝试。未能实现原始批次的电学响应表明，这些器件中的某个关键方面尚未被察觉。通过将新制备的器件与原始器件进行比较，我们收集了一些关于可能产生类似电学行为的可行替代机制的线索。
引用
@article{arxiv.2008.10711,
title = {Plausible physical mechanisms for unusual volatile/non-volatile resistive switching in HfO2-based stacks},
author = {Cynthia P. Quinteros and Jordi Antoja-Lleonart and Beatriz Noheda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.10711},
year = {2024}
}