双旋模型中掺杂 Mott 绝缘体的平面与条纹序
强关联电子
2007-05-23 v3 超导电性
摘要
我们关注具有任意 hopping 和相互作用的 very large U, doped Mott 绝缘体。我们提供了磁性序和超导序之间竞争的简单证据。通过将硬核心玻色子、无自旋玻色子和自旋费米子映射到 XXZ 模型，我们旨在作出 very simple precise 的陈述。我们尝试解决孔在平面内和条纹上的 optimal 和 expected 填充分数，以及各种孔和孔对几何形状。我们检查孔对和单个孔之间吸引/排斥的作用，并提供各种情景中填充分数的 trivial expected 数值。我们demnostrate plaquette 状态似乎自然提供正确的条纹填充分数。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0208600,
title = {Planar and Stripe Orders of Doped Mott Insulators In Dual Spin Models},
author = {Marco Bosch and Zohar Nussinov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0208600},
year = {2007}
}
备注
10 pages, 3 figures