低带隙二维半导体系统中钉扎诱导的 pn 结形成
介观与纳米尺度物理
2015-09-02 v1
摘要
本文提出了一个用于描述石墨烯等二维半导体系统中金属-半导体接触附近 结形成的模型。当能带弯曲导致结费米能级与 Dirac 能级发生交叉时，金属-半导体结附近的区域发生载流子类型切换。由于载流子密度的最小化，出现了偏压相关的耗尽区，该耗尽区被证明在器件中充当额外的寄生电阻。 结电阻通过其在转移长度结构中的实现得到了验证。
引用
@article{arxiv.1509.00250,
title = {Pinning-induced pn junction formation in low-bandgap two-dimensional semiconducting systems},
author = {David A. Deen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.00250},
year = {2015}
}
备注
9 pages, 3 figures