普适性异常磁电阻的物理起源
介观与纳米尺度物理
2025-06-23 v1 材料科学
摘要
在垂直于电流的平面内旋转磁化时发现的异常磁电阻（UMR），通常归因于自旋电流在界面处的磁化依赖反射，这给各种自旋电子学现象的理解和应用带来了显著影响。在此，我们报告称，巨UMR也发生在单层磁性金属中，并表现出高阶贡献和一个普适求和规则，这与最近提出的双矢量磁电阻的物理起源非常吻合，该理论仅考虑磁化矢量和界面电场对电子的散射，无需与自旋电流有任何关联。对文献数据的重新审视表明，那些用于声称自旋霍尔磁电阻或其他与自旋电流相关或不相关的磁电阻的最具代表性的数据，都可以通过双矢量磁电阻理论统一理解。本文讨论了与自旋电流相关磁电阻相悖、但与双矢量磁电阻一致的实验和理论结果。
引用
@article{arxiv.2410.23543,
title = {Physics Origin of Universal Unusual Magnetoresistance},
author = {Lijun Zhu and Qianbiao Liu and Xiangrong Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.23543},
year = {2025}
}