广义几何与异常磁阻之间对偶性的探索
高能物理 - 理论
2023-05-24 v2 材料科学
摘要
我们概述了在半导体-金属杂化中观测到的异常磁阻（EMR）与耦合到扩散 规范场的不对称引力之间的对偶性。相应的引力理论可解释为对称度规与反对称 Kalb-Ramond 场之半直积的广义复几何：()。我们构造了四维协变场论并计算了所得运动方程。这些方程在定义良好的变分原理下，针对特定的低维嵌入几何情形，编码了 EMR 的最一般形式。我们的形式体系还揭示了完全动力学场论中额外扩散赝电流的出现。所提出的运动方程现在包含了在器件几何中诱导几何形变以优化 EMR 的项。这种 EMR 与广义几何/引力之间的自下而上对偶描述有助于更深入地理解 EMR 效应，并有望带来潜在的新物理现象与性质。
引用
@article{arxiv.1912.05780,
title = {Exploration of The Duality Between Generalized Geometry and Extraordinary Magnetoresistance},
author = {Sathwik Bharadwaj and L. R. Ram-Mohan and Leo Rodriguez and Shanshan Rodriguez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.05780},
year = {2023}
}
备注
13 pages and 6 figures. Revised/edited for clarity and purpose. Several references added. Updated title based on suggestions and comments received. Version accepted for publication in Phys.Rev.B