二元合金Hubbard模型中的相变：来自强耦合微扰理论的见解

在由两种具有离子能量尺度$\pm\Delta$的原子组成的成分为A$_x$B$_{1-x}$的二元合金中，由于原子位置的无序性，得到了表观的安德森绝缘体（AI）。利用我们最近发展的将强耦合微扰理论的局域自能与转移矩阵方法相结合的技术，我们能够处理在蜂窝晶格上数百万个格点中将Hubbard $U$加到二元合金问题的问题。通过加入Hubbard相互作用$U$，所得的AI相将变为金属性，在我们的表述中这可明确归因于Hubbard $U$对无序的屏蔽。随着$U$的进一步增大，AI相再次浮现，这可以用残余Hubbard相互作用抑制电荷涨落来理解，无序利用这一点并使金属相的准粒子局域化。系统在极大$U$下的最终归宿是成为莫特绝缘体（MI）。我们针对不同的成分$x$构建了该模型在$(U,\Delta)$平面上的相图。