基于第一性原理的砷烯和锑烯双栅极 MOSFET 性能研究
材料科学
2016-12-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在迈向高性能超缩放器件的竞争中，二维材料由于其原子级厚度可抑制短沟道效应，提供了一种替代范式。因此，迫切需要在实际配置中研究最有前途的候选材料，在此我们展示了以砷烯和锑烯单层作为沟道的场效应晶体管的详细多尺度模拟。将第一性原理方法在描述电子特性方面的准确性与基于最大局域化 Wannier 函数的紧束缚哈密顿量的效率相结合，以计算器件的输运特性。这些模拟首次估计了 Takagi 近似下电子和空穴迁移率的上限，包括自旋轨道和多谷效应，并证明了亚 10 nm 尺度的超缩放器件表现出符合工业要求的性能。
关键词
引用
@article{arxiv.1612.04129,
title = {Performance of arsenene and antimonene double-gate MOSFETs from first principles},
author = {Giovanni Pizzi and Marco Gibertini and Elias Dib and Nicola Marzari and Giuseppe Iannaccone and Gianluca Fiori},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.04129},
year = {2016}
}
备注
14 pages, includes also Supplementary Information