利用单面光刻对准器实现图案化背栅：在密度匹配的电子 - 空穴双层结构中的应用
介观与纳米尺度物理
2009-11-13 v1
摘要
我们报道了仅使用单面光刻对准器，在薄（50-60m）\Roman{roman3}-\Roman{roman5}半导体样品上制造光刻对准图案化背栅的工作。同时，我们提出了一种利用廉价红外发光二极管（LED）和廉价（消费级）数码相机拍摄薄型图案化芯片两侧的方法。文中描述了一种利用超声波键合机接触样品两侧的稳健方法。此外，我们提出了一个数学模型，用于分析掺杂层和异质结（通常存在于大多数基于 GaAs 的器件中）内电化学势的变化。我们利用该技术并结合模型估算，制造了一种电子 - 空穴双层器件，其中每一层均可单独接触且具有可调密度。电子层和空穴层由宽度为 25 或 15nm 的势垒隔开。在这两种情况下，均可通过施加适当的偏置电压实现密度匹配。
引用
@article{arxiv.0807.0117,
title = {Patterned backgating using single-sided mask aligners: application to density-matched electron-hole bilayers},
author = {A. F. Croxall and K. Das Gupta and C. A. Nicoll and M. Thangaraj and I. Farrer and D. A. Ritchie and M. Pepper},
journal= {arXiv preprint arXiv:0807.0117},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 8 EPS figures. Submitted to Journal of Applied Physics