母体能带贝里曲率与理想反常霍尔晶体
介观与纳米尺度物理
2024-11-14 v2 强关联电子
摘要
我们研究了电子在具有均匀贝里曲率的母体能带中运动的模型。在足够高的母体能带贝里曲率下，我们表明强排斥相互作用通常会导致反常霍尔晶体的形成：这是一种自发打破连续平移对称性的拓扑态。我们的结果是通过映射到规则二维电子气中的 Wigner 结晶问题而建立的。有趣的是，我们发现周期性静电势会诱导一种具有相反陈数的竞争态。我们的理论为理解最近在菱面体多层石墨烯中观察到的整数量子和分数量子反常霍尔效应的几个方面提供了统一的视角，并为设计新的拓扑态提供了方案。
引用
@article{arxiv.2403.04196,
title = {Parent Berry curvature and the ideal anomalous Hall crystal},
author = {Tixuan Tan and Trithep Devakul},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.04196},
year = {2024}
}