高莫尔能带中具有更高 Chern 数的量子异常哈尔晶体
介观与纳米尺度物理
2025-07-29 v2 强关联电子
摘要
莫尔材料中分数赫鲁赫绝缘体的实现引发了对该平台进一步探索新物质相的热潮。在此基础上，最近的工作已证明实现量子异常哈尔晶体（QAHC）的可能性，这些晶体将零场量子哈尔效应与自发破坏离散平移对称性相结合。本文我们采用精确对角化方法，演示了由 填满的莫尔能带（Chern 数 ）中稳定 QAHC 的存在性。我们的计算表明，这些具有量化哈尔电导为 1（以 为单位）且单元胞扩大三倍的拓扑晶体，在扭曲双层三层石墨烯的理想模型中稳健存在——为该异结构的实验观察提供了一种新解释。此外，我们预测 QAHC 在扭曲双层双层石墨烯的现实模型中仍然稳健，并提供了一系列最佳调谐参数，即扭曲角度和电场，用于实现此相。总体而言，我们的工作证明了在 能带的奇分数填充下 QAHC 的稳定性，为未来实验提供了具体指南，并将多层石墨烯建立为研究 Landau 能级范式之外拓扑相的理论平台。
引用
@article{arxiv.2412.02745,
title = {Quantum anomalous Hall crystals in moir\'e bands with higher Chern number},
author = {Raul Perea-Causin and Hui Liu and Emil J. Bergholtz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.02745},
year = {2025}
}