掺钙离子对钙钐矿型钨酸盐的轨道无序与金属-绝缘相变
强关联电子
2009-11-11 v1
摘要
我们研究了掺杂钨酸盐 Pr_{1-x}Ca_xVO_3, Nd_{1-x}Sr_xVO_3 和 Y_{1-x}Ca_xVO_3 中填充控制的金属-绝缘相变 (MIT) 及其相关电子相图。掺杂水平 x 的增加导致 G 类型 (和 C 类型) 轨道有序的消失,这部分原因可归因于掺杂空穴的运动以及由固取乱造成的随机势。特别地,Y_{1-x}Ca_xVO_3 中的 G 类型自旋序和 C 类型轨道序相在掺杂约 x=0.02 时即消失。相反,MIT 的临界掺杂水平由未掺杂母体化合物的电子关联强度所支配。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0505190,
title = {Orbital Disordering and metal-insulator transition with hole-doping in perovskite-type vanadium oxides},
author = {J. Fujioka and S. Miyasaka and Y. Tokura},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0505190},
year = {2009}
}
备注
9pages, 4figures