掺杂Jahn-Teller绝缘体中的畴形成与轨道有序转变
无序系统与神经网络
2009-11-11 v1
摘要
对于具有Jahn-Teller晶格耦合和弱无序的轨道简并电子的双交换模型，其基态在半填充附近被发现是空间不均匀的。利用实空间蒙特卡罗方法，我们表明对半填充的轨道有序绝缘体进行掺杂会导致在轨道有序环境中出现富空穴的无序区域。由掺杂驱动的轨道有序到无序的转变伴随着金属行为的出现。我们给出了输运和光学性质的结果，以及晶格畸变和电荷密度的空间图案，为全面理解LaCaMnO的低掺杂相图提供了基础。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0607642,
title = {Domain Formation and Orbital Ordering Transition in a Doped Jahn-Teller Insulator},
author = {Sanjeev Kumar and Arno P. Kampf and Pinaki Majumdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0607642},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures