优化强δ掺杂 (1D) 超晶格中产生负微分电阻的迷你能隙
无序系统与神经网络
2007-08-14 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
“原子锯方法”利用二维（2D）量子阱超晶格中的位错通过，产生周期性滑移层和一维（1D）量子线超晶格。在 GaAs δ掺杂超晶格的情况下，分析了这种样品空间结构对允许能量的影响。如果足够大，1D 能带结构中出现的各种迷你能隙可能导致这些系统中出现具有高临界电流的负微分电阻（NDR）。目的是确定迷你能隙随样品参数的演化，并获得确定可能出现 NDR 的 2D 和 1D 结构特征的方法。
引用
@article{arxiv.0708.1673,
title = {Optimized minigaps for negative differential resistance creation in strongly delta-doped (1D) superlattices},
author = {T. Ferrus and B. Goutiers and L. Ressier and J. P. Peyrade and J. A. Porto and J. Sanchez-dehesa},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1673},
year = {2007}
}
备注
see erratum 10.1006/spmi.1998.0702