为CBM硅径迹系统开发低噪声、耐辐射双面硅条探测器的多种隔离技术优化
仪器与探测器
2015-06-12 v1 高能物理 - 实验
摘要
本文报告了为降低等效噪声电荷(ENC)并最大化击穿电压和电荷收集效率而对双面硅微条探测器(DSSD)进行的设计优化。探索了多种隔离技术，并进行了详细比较以优化探测器性能。为评估硅探测器的性能，包含了辐射损伤模型。预计在CBM运行的五年期间，中子注量率为每年2×10^{13}n_{eq} cm^{-2}，期间有暖维护、冷维护和停机。进行了瞬态模拟以估计辐照探测器的电荷收集性能，并通过实验数据验证了模拟结果。
引用
@article{arxiv.1211.6286,
title = {Optimization of various isolation techniques to develop low noise, radiation hard double-sided silicon strip detectors for the CBM Silicon Tracking System},
author = {S. Chatterji and M. Singla and W. F. J. Mueller and J. M. Heuser},
journal= {arXiv preprint arXiv:1211.6286},
year = {2015}
}