对称质量生成绝缘体中的光学电导率

对称质量生成（SMG）绝缘体是量子多体费米子系统中由相互作用驱动的、无内禀结构的 Mott 绝缘态。近期进展表明，费米子格林函数的零点可导致 SMG 绝缘体中产生非零的负光学电导率，甚至在电荷激发能隙以下亦然。本研究通过极点-零点对偶性的视角探讨了这种反常行为的起源，指出了一个关键问题：电流算符变得无界，导致响应函数非物理。通过采用格点模型，我们导出了电流算符性质良好的格点正则化形式，从而能够详细研究 SMG 绝缘体中的光学电导率。利用包括强耦合展开在内的解析与数值方法，我们证实了 SMG 绝缘体在低于电荷能隙的低能区不存在光学电导率，有效地解决了该悖论。本工作不仅加深了我们对量子多体现象的理解，也为未来 SMG 材料的实验探索奠定了坚实的理论基础。