由带隙得出的若干二元半导体的光学与电子性质
综合物理
2016-02-23 v2
摘要
II-VI 和 III-V 四面体半导体在新型光电子应用方面具有巨大潜力。在本工作中，利用最近提出的由带隙求折射率的经验关系式，研究了这些半导体族的若干光学与电子性质。这些性质的计算值也与由一些著名关系式计算的结果进行了比较。通过分析不同公式计算得到的这些四面体二元半导体的电子极化率，我们提出了一种用于其计算的经验关系。在很宽的带隙范围内，这些半导体电子极化率的预测值与已知值吻合较好。
引用
@article{arxiv.1509.01457,
title = {Optical and electronic properties of some binary semiconductors from energy gaps},
author = {Sunil K. Tripathy and Anup Pattanaik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.01457},
year = {2016}
}
备注
28 pages, 10 figures, submitted to Optical Materials