半导体中极化相关量的精确计算
材料科学
2016-08-31 v1
摘要
我们展示了，利用Berry相极化理论中的合适方法，能够从第一性原理计算中准确预测半导体中的极化相关量。以III-V族氮化物为测试案例，我们发现极化电荷、氮化物对之间的极化差以及 piezoelectric 常数的值均与其先前确定的值相当接近。虽然提供了更精细的数据，但针对所有相关量都进行了细化。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0011243,
title = {Accurate calculation of polarization-related quantities in semiconductors},
author = {F. Bernardini and V. Fiorentini and D. Vanderbilt},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0011243},
year = {2016}
}
备注
RevTeX 4 pages, no figures