脉冲离子注入引起的a-SiO2宿主基质八面体转化
材料科学
2023-07-19 v1 计算物理
摘要
这是摘要。给出了经过[Mn+]和[Co+, Mn+]离子脉冲注入的a-SiO2宿主材料的X射线光电子能谱（XPS）测量结果以及DFT计算结果。在单[Mn+]和双[Co+, Mn+]脉冲离子注入的a-SiO2（E = 30 keV, D = 2*10^17 cm^-2）的XPS Si 2p和O 1s核心能级中，相对于未处理a-SiO2发现了低能位移。在与石英相比的超石英(stishovite)的XPS Si 2p和O 1s中也发现了类似变化。这意味着脉冲离子注入诱导了局部高压效应，导致α-SiO2宿主中出现SiO6结构单元，形成“类超石英”局部原子结构。该过程可描述为SiO2宿主基质中从四重“类石英”到六重“类超石英”高压相的电子成键转变。发现这种八面体转化依赖于注量，并在剂量高于 D = 3*10^16 cm^-2 时开始。
引用
@article{arxiv.1505.06901,
title = {Octahedral conversion of a-SiO2-host matrix by pulsed ion implantation},
author = {D. A. Zatsepin and A. F. Zatsepin and D. W. Boukhvalov and E. Z. Kurmaev and N. V. Gavrilov and N. A. Skorikov and A. von Czarnowski and H. -J. Fitting},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.06901},
year = {2023}
}
备注
15 pages, 6 figures, 1 table, accepted in phys. stat. solidi (b)