砷注入太赫兹发射器的模拟与优化
其他凝聚态物理
2007-05-23 v2
摘要
我们使用三维赝经典蒙特卡罗模拟研究了As+离子注入对脉冲太赫兹辐射发射器的影响。对基于表面场发射器和光电导开关的器件进行了建模。发现两次能量为1.0 MeV和2.4 MeV的As+离子注入能够在贡献太赫兹产生的GaAs体积内产生均匀的空位分布。我们计算得出，离子注入增加了器件的太赫兹带宽，但代价是降低了较低太赫兹频率下的光谱强度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0602231,
title = {Simulation and optimization of arsenic-implanted THz emitters},
author = {M. B. Johnston and J. Lloyd-Hughes and E. Castro-Camus and M. D. Fraser and C. Jagadish},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0602231},
year = {2007}
}
备注
2 pages, 3figures, conference abstract