不同 Xe+ 离子能量诱导的 TiO2/SiO2 混合层变化
材料科学
2020-09-04 v1
摘要
利用卢瑟福背散射谱（RBS）和椭偏光谱（ES）方法研究了 TiO2/SiO2 过渡层的展宽与光学参数对离子能量的依赖关系。TiO2/SiO2 样品经能量为 100、150、200 和 250 keV 的 Xe+ 离子辐照。由 RBS 谱确定的元素深度分布显示了注入前后 TiO2/SiO2 过渡层的结构与厚度。我们发现 TiO2 与 SiO2 层之间过渡区的厚度随入射离子能量的增加而增大。该现象表明 TiO2/SiO2 界面处原子混合程度增加。此外，过渡层的变化可通过缺陷深度分布以及借助 SRIM 计算得到的混合层中转移离子能量来解释。由 RBS 获得的厚度与 ES 方法测量的厚度吻合良好。基于这些所得结果，我们还研究了注入与未注入 TiO2/SiO2 结构的光学常数。以不同入射角测量的波形表明，测量是在接近主主点附近进行的。\psi 与 \delta 带的产率在的不同入射角下变化，与所考察结构反射光的干涉过程相关。发现折射率与消光系数在 200 keV 及以下 Xe 离子注入后增加，而在 250 keV 时减小。
引用
@article{arxiv.2009.01733,
title = {Variation of TiO2/SiO2 mixed layers induced by different Xe+ ion energies},
author = {Tran Van Phuc and Miroslaw Kulik and Afag Madadzada and Dorota. Kolodynska and Le Hong Khiem and Phan Luong Tuan and Nguyen Ngoc Anh},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.01733},
year = {2020}
}
备注
20 pages, 9 figures