高能辐照对硅光子无源器件的影响
光学
2022-02-09 v1 应用物理
摘要
在这项工作中，通过高能中子和60Co伽马射线辐照，研究了基于绝缘体上硅（SOI）技术构建的硅光子无源器件的辐照响应。微环谐振器（MRRs）和马赫-曾德尔干涉仪（MZIs）的波长在受到通量为1*10^12 n/cm^2的高能中子辐照后均呈现蓝移；由于波导宽度不同，MZI器件中的蓝移小于MRR。具有SiO2上包层器件的辐照耐受性较强。中子辐照导致无SiO2包层器件的光学器件Si芯晶体对称性发生轻微变化并加速氧化。2 um厚的SiO2顶层包层显著提高了这些无源光子器件的抗辐照能力。
引用
@article{arxiv.2112.14459,
title = {High Energy Irradiation Effects on Silicon Photonic Passive Devices},
author = {Yue Zhou and Dawei Bi and Songlin Wang and Longsheng Wu and Yi Huang and Enxia Zhang and Daniel M. Fleetwood and Aimin Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.14459},
year = {2022}
}