空间兼容集成光学用高 Q 值氮化硅微谐振器的抗辐射性能
光学
2016-02-05 v1
摘要
集成光学因其能将众多元件集成于单一、坚固的芯片上，而在空间应用中具有独特优势。随着集成光学各类构建模块的发展，回答其对抗电离辐射能力这一重要问题显得尤为关键。在此，我们研究了质子辐射对由波导环构成的高 Q 值氮化硅微谐振器的影响。结果表明，高能质子辐照对微谐振器的线性光学损耗没有持久性影响。
引用
@article{arxiv.1406.0297,
title = {Radiation Hardness of High-Q Silicon Nitride Microresonators for Space Compatible Integrated Optics},
author = {Victor Brasch and Qun-Feng Chen and Stephan Schiller and Tobias J. Kippenberg},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.0297},
year = {2016}
}