Q 增强氮化硅跑道型微谐振器的设计与表征
光学
2020-09-08 v2 应用物理
摘要
针对氮化硅光子集成平台，设计、制备并表征了 Q 增强跑道型微谐振器。所提出的几何结构可减轻弯曲波导处辐射损耗的影响——这是氮化硅电路的主要限制之一，因此与具有相同弯曲半径的传统结构相比，提高了微谐振器的本征 Q 因子。本工作提出的方案允许减小器件尺寸，这对该平台的集成规模有直接影响。当用于集成光子电路中路由光信号的波导弯曲段时，这些几何结构提供了辐射损耗的降低，并允许使用更小的弯曲半径以及提高电路集成密度。
引用
@article{arxiv.1910.06981,
title = {Design and Characterization of Q-enhanced Silicon Nitride Racetrack Micro-Resonators},
author = {Pedro Chamorro-Posada and Rocío Baños},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.06981},
year = {2020}
}