纯薄膜C$_{60}$中高色散能带的观测
介观与纳米尺度物理
2019-03-01 v1 强关联电子
原子与分子团簇
摘要
尽管长期在理论上被预言，但由于多种内禀与 extrinsic 因素，对多个高色散C价带的直接观测困扰了研究者二十余年。本文通过角分辨光电子能谱(ARPES)和第一性原理计算，在一种新型衬底——三维拓扑绝缘体BiSe——上的纯薄膜C中，实现了多个高色散(330-520 meV)价带的观测。讨论了该新型衬底降低C转动无序的效应。我们的结果为过去和未来的能带结构研究以及日益流行的C电子器件应用（尤其是利用异质结的那些）提供了重要参考。
引用
@article{arxiv.1902.10827,
title = {Observation of highly dispersive bands in pure thin film C$_{60}$},
author = {Drew W. Latzke and Claudia Ojeda-Aristizabal and Sinéad M. Griffin and Jonathan D. Denlinger and Jeffrey B. Neaton and Alex Zettl and Alessandra Lanzara},
journal= {arXiv preprint arXiv:1902.10827},
year = {2019}
}
备注
7 pages, 4 figures