由于可变占据离散捕获陷阱导致的非理想亚阈值摆动
介观与纳米尺度物理
2025-07-28 v1 应用物理
摘要
碳纳米管晶体管已被实验演示其性能可与甚至超过硅晶体管。进一步的改进需要解决由器件制造引起的非理想因素，这些因素影响性能和可重复性。决定能源效率的性能指标是亚阈值摆动，常观察到的亚阈值摆动为理想热极限的3-4倍。本文通过仿真表明，离散数量的可变占据空穴捕获陷阱可解释较大的亚阈值摆动。我们的仿真结果表明，虽然三维陷阱分布影响亚阈值摆动，但只有靠近纳米管的陷阱对其影响显著。结果表明，靠近纳米管的陷阱密度约为0.5/nm即可显著增加亚阈值摆动，仅需消除或掩埋纳米管上的少数几个陷阱即可。
引用
@article{arxiv.2507.18646,
title = {Non-ideal subthreshold swing in aligned carbon nanotube transistors due to variable occupancy discrete charge traps},
author = {Saurabh S. Sawant and Teo Lara and Francois Leonard and Zhi Yao and Andrew Nonaka},
journal= {arXiv preprint arXiv:2507.18646},
year = {2025}
}
备注
9 pages, 6 figures