具有屏蔽效应的介观扩散导体中的噪声特性与交流电导

提出了具有屏蔽效应的扩散介观导体中非平衡（“散粒”）噪声和高频电导的理论。针对两种简单几何结构，在电子-电子散射长度 $l_{ee}$ 较大和较小两种情况下，获得了频率约为逆Thouless时间 $1/\tau_T$ 量级的详细结果。发现电导和噪声表现出显著的频率依赖性。当 $L \ll l_{ee}$ 时，高频（$\omega\tau_T \gg 1$）散粒噪声谱密度 $S_I(\omega)$ 趋近于介于 $2eI/3$ 和 $2eI$ 之间的有限值，具体取决于系统的屏蔽特性，且 $S_I(\omega)$ 的温度修正与 $T$ 成线性关系。然而，当 $L \gg l_{ee}$ 时，$S_I(\omega)$ 随 $\omega^{1/4}$ 增长（在 T=0 时），不受 $2eI$ 的上限约束，并且其温度相关分量与 $T$ 的平方成正比。因此，$S_I(\omega, T)$ 的测量可用作电子-电子散射强度的探针。