利用同步辐射研究 InP(1 0 0) 表面的氮化
材料科学
2009-02-02 v1
摘要
利用同步辐射光电子能谱研究了 InP(1 0 0) 表面的氮化。样品经过化学清洗后进行离子轰击，这清洁了表面并诱发了金属铟液滴的形成。利用辉光放电单元 (GDS) 进行氮化，通过与这些铟团簇反应生成了氮化铟。我们利用 In 4d 和 P 2p 芯能级来监测表面的化学状态及所存在物种的覆盖度。我们观察到了 In-N 和 P-N 键的形成，同时 In-In 金属键减少，这证实了铟团簇与氮物种之间的反应。基于堆叠层的理论模型使我们能够断定生成了近两个单层的氮化铟。此外还分析了在 450 C 下退火对氮化层的影响。结果表明，该系统在此温度下是稳定的，远高于清洁 InP(1 0 0) 的同成分蒸发温度 (370 C)：正如先前研究 InP(1 0 0) 表面的工作 [L. Bideux, Y. Ould-Metidji, B. Gruzza, V. Matolin, Surf. Interface Anal. 34 (2002) 712] 所示，未检测到由于基底分解导致的金属铟键增加。
引用
@article{arxiv.0901.4906,
title = {Nitridation of InP(1 0 0) surface studied by synchrotron radiation},
author = {Matthieu Petit and David Baca and S. Arabasz and Luc Bideux and Natalia Tsud and S. Fabik and Bernard Gruzza and Vladimir Chab and Vladimir Matolin and K. C. Prince},
journal= {arXiv preprint arXiv:0901.4906},
year = {2009}
}