中子诱发撞击：14nm FinFET 中多节点电荷收集的研究
新兴技术
2017-06-13 v1
摘要
在 20nm 以下技术节点中，FinFET 已取代了传统的体 CMOS 晶体管。需要考虑的关键问题之一是，基于 FinFET 的电路由于中子诱发撞击而容易受到多节点电荷收集的影响。在本文中，我们对 14nm 体 FinFET 的代表性版图进行了基于器件仿真的表征研究，以研究多个晶体管受影响的程度。我们发现多个晶体管确实会受到影响，且影响范围可达相距五个晶体管（约 200nm）。我们表明，撞击附近源/漏区域的电势是一个重要的贡献因素。在多鳍 FinFET 的情况下，随着鳍数增加，每个鳍收集到的电荷会减少。因此，更小的 FinFET 容易受到大量电荷收集的影响。
引用
@article{arxiv.1706.03315,
title = {Neutron-induced strike: Study of multiple node charge collection in 14nm FinFETs},
author = {Nanditha P. Rao and Madhav P. Desai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.03315},
year = {2017}
}
备注
5 pages