基于物理点格点QCD模拟的中子电偶极矩

我们在格点QCD形式体系内提取中子电偶极矩$\vert \vec{d}_N\vert$。我们分析了一个$N_f=2+1+1$扭曲质量clover改进费米子系综，其格距为$a \simeq 0.08 \ {\rm fm}$，夸克质量的物理值对应于介子质量$m_{\pi} \simeq 139 \ {\rm MeV}$。中子电偶极矩通过作用量的小$\theta$展开计算$CP$奇电磁形状因子$F_3(Q^2 \to 0)$来提取。该方法需要计算拓扑电荷，我们采用基于谱投影算符的费米子定义，同时也给出了与伴随梯度流的胶子定义的比较。我们表明，使用谱投影算符的拓扑电荷所导致的绝对误差比采用场论定义时小两倍以上。使用费米子定义我们得到$\vert \vec{d}_N\vert = 0.0009(24) \ \theta \ e \cdot {\rm fm}$，在统计上与零一致。