硅中替位金杂质的负 U 特性
材料科学
2014-03-26 v1
摘要
本文利用基于密度泛函理论的电子结构计算，详细研究了体硅中孤立的替位金杂质。研究发现该缺陷系统是一个非自旋极化的负 U 中心，从而为长期以来关于硅中金的电子顺磁共振信号的争论提供了一个简单的解决方案。实验上已确立的施主和受主能级与预测的稳定电荷态跃迁能级之间吻合极好（在 0.03 eV 以内），这使得我们可以明确地将两个实验能级分别归属于 (1+/1-) 和 (1-/3-) 跃迁，这与此前对该系统的假设截然不同。
引用
@article{arxiv.1403.6306,
title = {Negative-U properties for substitutional Au in Si},
author = {Fabiano Corsetti and Arash A. Mostofi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.6306},
year = {2014}
}
备注
6 pages, 5 figures