硅中替代位铂作为高效非辐射复合中心
材料科学
2026-04-29 v1
摘要
铂（Pt）被广泛用于硅功率器件中的载流子寿命控制，但替代位铂（）掺杂剂的微观非辐射复合机制仍存争议。利用第一性原理计算结合非辐射多声子理论，我们系统地研究了 的电子结构和载流子俘获动力学。我们的结果表明， 的施主（）和受主（）能级对电子和空穴载流子均表现出大的俘获截面，从而使 成为有效的复合中心。值得注意的是，计算出的俘获截面敏感于具有不同 Jahn-Teller 畸变的对称等价缺陷构型。通过在跃迁过程中正确考虑中性 的两种不同 构型，我们计算的载流子俘获截面与实验值吻合良好。这项工作提供了 诱导的载流子俘获过程的微观图景，并强调了对称等价构型在缺陷辅助非辐射复合中的重要性。
引用
@article{arxiv.2604.25621,
title = {Substitutional platinum as an efficient nonradiative recombination center in silicon},
author = {Zhenxing Dai and Menglin Huang and Xin-Gao Gong and Shiyou Chen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2604.25621},
year = {2026}
}