半导体多声子深能级电荷俘获第一性原理计算中的非谐修正
材料科学
2020-01-01 v1 计算物理
摘要
半导体深中心的非辐射载流子复合对基础物理和器件工程都极为重要。在本快报中，我们结合第一性原理计算对 K. Huang 原始的非辐射多声子（NMP）理论进行了修正分析。首先，我们在第一性原理层面上确认 Huang 的简洁公式与基于矩阵的公式给出相同结果，且 Huang 的高温公式提供了 Marcus 理论中耦合常数的解析表达式。其次，通过考虑缺陷在不同电荷态下局域声子模式的变化，对非谐效应进行了修正。对 GaN 和 SiC 中缺陷的修正后俘获率与实验吻合良好。
引用
@article{arxiv.1912.12549,
title = {Anharmonic corrections to the multiphonon deep-level charge capture ab initio calculations for semiconductors},
author = {Yao Xiao and Zi-Wu Wang and Lin Shi and Xiangwei Jiang and Shu-Shen Li and Lin-Wang Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.12549},
year = {2020}
}