半绝缘砷化镓中单个类氢杂质的微观研究
材料科学
2008-10-16 v1
摘要
通过电场中的μ子自旋共振技术，研究了在半绝缘GaAs中注入高能(4 MeV)μ子形成的类氢中心的电荷动力学。结果指出了深空穴陷阱在GaAs补偿机制中的重要作用。由μ子径迹诱导的热载流子增强的深电子和空穴陷阱的中和，导致非平衡载流子寿命增加。因此，位于四面体As位点的μ子素(μ⁺ + e⁻)中心可以捕获径迹中的空穴，从而表现为施主。
引用
@article{arxiv.0810.2692,
title = {The microscopic study of a single hydrogen-like impurity in semi-insulating GaAs},
author = {D. G. Eshchenko and V. G. Storchak and S. P. Cottrell and E. Morenzoni},
journal= {arXiv preprint arXiv:0810.2692},
year = {2008}
}