基于电子结构计算的深能级缺陷辐射俘获率
材料科学
2020-08-07 v1
摘要
我们提出了一种从第一性原理计算半导体和绝缘体中深能级缺陷处辐射载流子俘获系数的方法。电子结构与晶格弛豫由杂化密度泛函理论精确描述。俘获系数的计算为这些泛函在处理局域化缺陷态时的准确性提供了额外验证。我们还讨论了康登近似的有效性，表明即使在大幅晶格弛豫的情况下该近似依然准确。我们在 GaAs:- 和 GaN:C 上测试了该方法，相关可靠实验数据可得，结果表明与实测俘获系数非常吻合。
引用
@article{arxiv.2008.02732,
title = {Radiative capture rates at deep defects from electronic structure calculations},
author = {Cyrus E. Dreyer and Audrius Alkauskas and John L. Lyons and Chris G. Van de Walle},
journal= {arXiv preprint arXiv:2008.02732},
year = {2020}
}
备注
6 pages, 2 figures