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雪崩机制下 SiO2(Co)/GaAs 异质结构中的负光电导

介观与纳米尺度物理 2015-06-11 v1 材料科学

作者: L. V. Lutsev , V. V. Pavlov , P. A. Usachev , A. A. Astretsov , A. I. Stognij , N. N. Novitskii

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摘要

在雪崩机制下，我们观察到了生长在砷化镓上的含钴纳米颗粒二氧化硅薄膜异质结构 SiO2(Co)/GaAs 的负光电导现象。使用光子能量小于 GaAs 带隙能量的光照射，会在 GaAs 带隙内的缺陷上产生被捕获的空穴，从而抑制雪崩反馈并导致流过 SiO2(Co)/GaAs 的电流减小。

关键词

负光电导 SiO2(Co)/GaAs 异质结构雪崩机制钴纳米颗粒缺陷捕获空穴捕获

引用

@article{arxiv.1209.3303,
  title  = {Negative photoconductance in SiO2(Co)/GaAs heterostructure in the avalanche regime},
  author = {L. V. Lutsev and V. V. Pavlov and P. A. Usachev and A. A. Astretsov and A. I. Stognij and N. N. Novitskii},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1209.3303},
  year   = {2015}
}

备注

4 pages, 4 figures