Nb$_{2}$SiTe$_{4}$：一种具有双极性输运与中红外响应的稳定窄带隙二维材料
应用物理
2019-09-10 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
带隙窄（约 0.3 eV）的二维（2D）材料对于实现双极性晶体管与中红外（MIR）探测具有重要意义。然而，迄今研究的大多数二维材料带隙过大，少数具有合适带隙的材料在常温环境下不稳定。本研究表明，层状 NbSiTe 是一种带隙为 0.39 eV 的稳定二维材料。基于少层 NbSiTe 的场效应晶体管展现出双极性输运，电子与空穴电流大小相近，且在室温下具有约 100 cmVs 的高载流子迁移率。器件的光电测量显示其对 3.1 m 的中红外波长有清晰响应，响应度高达约 0.66 AW。这些结果确立了 NbSiTe 作为双极性器件与中红外探测优选材料的地位。
引用
@article{arxiv.1909.03635,
title = {Nb$_{2}$SiTe$_{4}$: A Stable Narrow-Gap Two-Dimensional Material with Ambipolar Transport and Mid-Infrared Response},
author = {Mingxing Zhao and Wei Xia and Yang Wang and Man Luo and Zhen Tian and Yanfeng Guo and Weida Hu and Jiamin Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:1909.03635},
year = {2019}
}
备注
17 pages, 5 figures