Nb2SiTe4与Nb2GeTe4中具有优异电子特性的二维铁弹半导体
材料科学
2019-10-22 v1
摘要
具有铁弹性与诱人电子特性耦合的二维晶体为实现长期寻求的可控器件提供了前所未有的机遇。但迄今所报道的提案主要基于假设结构。本文利用第一性原理计算，确认单层Nb2ATe4（A = Si, Ge）可从层状块体中剥离，是有前景的候选材料。研究发现单层Nb2ATe4在动力学、热学与化学上均稳定。它们具备优异铁弹性，具有高空可逆铁弹应变与适中铁弹转变能垒，利于实际应用。同时，它们拥有出色的各向异性电子特性，包括各向异性载流子迁移率与光学性质。更重要的是，单层Nb2ATe4的各向异性特性可通过铁弹切换高效调控。这些引人瞩目的特性结合实验可行性，使单层Nb2ATe4成为实现可控器件的非凡平台。
引用
@article{arxiv.1910.08950,
title = {Two-dimensional ferroelastic semiconductors in Nb2SiTe4 and Nb2GeTe4 with promising electronic properties},
author = {Ting Zhang and Yandong Ma and Xilong Xu and Chengan Lei and Baibiao Huang and Ying Dai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.08950},
year = {2019}
}