CdSe 量子点中正电子态的性质
介观与纳米尺度物理
2018-08-16 v1 材料科学
摘要
先前的研究表明，正电子湮灭谱学是探测嵌入薄膜中的配体封端半导体量子点(QDs)电子结构与表面组成的高灵敏探针。然而，相关正电子态的性质——即正电子是受限在 QDs 内部还是局域于其表面——迄今仍未解决。我们对 CdSe QDs 的正电子湮灭寿命谱学(PALS)研究揭示出在 358–371 ps 窄范围内存在强寿命分量，表明正电子在 QDs 表面大量俘获并湮灭。此外，我们采用近期提出的加权密度近似(WDA)公式对正电子波函数与寿命进行的第一性原理计算，证明了正电子表面态的存在，并预测的正电子寿命接近实验值。因此，我们的研究解决了关于半导体 QDs 中正电子态性质的长久疑问，并为利用高灵敏正电子湮灭技术提取胶体半导体 QDs 表面组成与配体-表面相互作用的定量信息开辟了道路。
引用
@article{arxiv.1808.04971,
title = {Nature of the positron state in CdSe quantum dots},
author = {Wenqin Shi and Vincent Callewaert and Bernardo Barbiellini and Rolando Saniz and Maik Butterling and Werner Egger and Marcel Dickmann and Christoph Hugenschmidt and Behtash Shakeri and Robert W. Meulenberg and Ekkes Brück and Bart Partoens and Arun Bansil and Stephan W. H. Eijt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.04971},
year = {2018}
}
备注
14 pages, 3 figures