硅上外延压电 {\alpha}-石英薄膜的纳米结构工程
应用物理
2019-08-21 v1 材料科学
摘要
亚微米石英结构在硅衬底上的单片集成是未来通信向 GHz 频率发展的关键问题。在此，我们报道了通过软化学与三种高性价比光刻技术相结合，在硅衬底上前所未有的大规模制备有序压电外延石英纳米结构阵列：（i）激光转印光刻，（ii）Sr 掺杂 SiO2 溶胶-凝胶薄膜上的软纳米压印光刻，以及（iii）自组装 SrCO3 纳米颗粒反应纳米掩模。首次获得了具有不同直径（小至 50 nm）和高度（高达 2000 nm）的外延 {\alpha}-石英纳米柱。本工作证明了在保持石英薄膜结晶性、取向与压电性的同时，对其形状、微纳图形化实现了控制。本工作为制备在不同应用领域相关的新高频谐振器与高灵敏度传感器开辟了机遇。
引用
@article{arxiv.1908.07016,
title = {Nanostructure engineering of epitaxial piezoelectric {\alpha}-quartz thin films on silicon},
author = {Q. Zhang and D. Sánchez-garcia and R. Desgarceaux and A. Gomez and P. Escofet-Majora and J. Oró-soler and J. Gazquez and G. Larrieu and B. Charlot and M. Gich and A. Carretero-Genevrier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.07016},
year = {2019}
}