MOSFET GIDL电流随杂质掺杂浓度的变化：一种新理论方法
介观与纳米尺度物理
2019-04-11 v1
摘要
本文通过完整的定性与定量方法描述了栅致漏极泄漏电流随杂质掺杂浓度的实际变化。应用 De Casteljau 算法描述薄栅氧化层 nMOSFET 中的带间隧穿，结果吻合极佳。此外，首次从纯几何方法的角度解释了 MOSFET 漏区中泄漏电流对杂质密度的依赖关系。令人惊讶的是，其中一个比例常数表现得恰如杂质梯度，从而得出与使用二维仿真器测量的 MOSFET 漏区杂质掺杂分布相同的特性。
引用
@article{arxiv.1904.04827,
title = {MOSFET GIDL Current Variation with Impurity Doping Concentration A Novel Theoretical Approach},
author = {Arnesh Sen and Jayoti Das},
journal= {arXiv preprint arXiv:1904.04827},
year = {2019}
}